GIS各元件安裝完成后，一般在抽真空充SF6氣體之前進行主回路電阻測量。測量主回路的電阻，可以檢查主回路中的聯(lián)結和觸頭接觸情況，應采用直流壓降法測量，測試電流不小于100A。若GIS有進出線套管，可利用進出線套管注入測量電流進行測量。

　　若GIS接地開關導電桿與外殼絕緣，引到金屬外殼的外部以后再接地，測量時可將活動接地片打開，利用回路上的兩組接地開關導電桿關合到測量回路上進行測量；若接地開關導電桿與外殼不能絕緣分隔時，可先測量導體與外殼的并聯(lián)電阻R0和外殼的直流電阻R1，然后按下式換算回路電阻R。

　　R＝R0R1÷（R1－R0）

　　基于直流壓降法時，可采用直流電源、分流器和毫伏表測量回路電阻，也可采用回路電阻測試儀來進行測量。二者基本原理一致，測量時應注意接線方式帶來的誤差，電壓測量線應在電流輸出線的內側，且電壓測量線應接在被測回路正確的位置，否則將產生較大的測量誤差，接線方式如圖1所示。

　　圖1：主回路電阻測量的接線圖

　　在GIS母線較長間隔較多，并且有多路進出線的情況下，應盡可能分段測量，以便有效地找到缺陷的部位?，F(xiàn)場測量的數(shù)據(jù)應與出廠試驗數(shù)據(jù)比較，當被測回路各相長度相同時，測得的各相數(shù)據(jù)應相同或接近。

　　例如，測量圖2所示GIS的主同路電阻時，可以首先測量A1——A2之間的電阻，若三相測量數(shù)據(jù)與出廠數(shù)據(jù)差別較大或三相數(shù)據(jù)差別較大，應對測量回路分段，以找到有安裝缺陷的部件。如從B、C兩點通電測量，可以判斷斷路器QF1的接觸情況；從D、F兩點通電測量回路電阻，可以準確判斷斷路器QF2的接觸情況。